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目前，中国移动牵头成立了信息通信芯片产业链创新中心，其中就有一个芯片联合攻关工作组。该中心参与厂家包括大唐、中兴、华为、京信、联想等设备商，以及大量芯片厂商，汇聚产业资源，推动5G基站芯片开发。

核心器件分析

冯亮对国内企业5G基站芯片的竞争力进行了分析。其中，CPU、FPGA和基带SoC，国际来看，目前在商用市场用途广泛，成本、功耗和竞争力具有优势，普遍的问题是对本士支持和响应速度偏弱。据悉，部分厂家将推出5nm及更尖端工艺的芯片。国内来看，整体能力和集成度相对国际产业存在差距，并拉大功耗和成本差距。同时，入局者众多，可有效抵御供应风险。

冯亮介绍，基站商用产品数字器件工艺要求等级高，目前集中在16nm及以上工艺，高端CPU芯片和高端FPGA芯片已用到10nm工艺，而国内产业高端CPU芯片当前是14nm工艺，高端FPGA工艺还在28nm。

基站商用产品模拟器件的工艺要求等级低于数字器件，国外高集成度的射频收发器件采用28nm工艺，最 新的在向16nm突破：国内产业射频收发器件采用的是28nm工艺。

此外，小功率功放芯片使用GaAs材料的功放，目前衬底基本都是进口，国内产业研究所有研发，处于刚起步阶段。其他低集成度器件采用90nm及更低工艺等级器件全环节自主可控，己在商用基站产品批量使用。

5G小站演进思路

在演讲中，冯亮也谈到了5G小站的演进思路。随着运营商5G扩展型小基站集采临近，5G小站即将迎来规模化商用，5G小站平台的产品成本和功耗是制约末来发展的关键，底层芯片自主可控方案对于小站技术演进和产业链战略安全，具有重要意义。

5G小站BBU的演进方向是通用器件向专用器件发展、分立式器件向一体化器件发展，网络处理单元 (NPU)、物理层处理单元 (PHY)等关键单元是重点突破方向。